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| Titre: | Modeling and simulation of GTO switching characteristics |
| Auteur(s): | Achour, Ahmed |
| Mots-clés: | Semiconducteurs de puissance
Power semiconductors
Simulation, méthodes de
Simulation methods |
| Date de publication: | 2000 |
| Résumé: | This work presents a high power gate turn off thyristor (GTO) model based on a one-port negative differential resistance (NDR) circuit. the basic one-cell model of an elementary GTO consists of two complementary bipolar junction transistors connected in a feedback configuration and three linear resistors (2t-3r). the static and dynamic responses of the model are simulated using the SPICE software program.the 2t-3r- circuit model is found to satisfactorily describe the GTO switching characteristics but falls short to predict the tail current transient effect... |
| Description: | 110 p. : ill. ; 30 cm |
| URI/URL: | http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080123456789/1583 |
| Collection(s) : | Magister
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