Geometric component in constant-amplitude charge-pumping characteristics of LOCOS- and LDD-MOSFET devices

	Accueil

Parcourir le dépôt par :
	Communautés et collections
	Issue Date
	Author
	Title
	Subject

Services personnalisés :
	Recevoir les nouveautés
	Espace personnel utilisateurs autorisés
	Modifier mon profil


	À propos de DSpace

Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/1969

Titre:	Geometric component in constant-amplitude charge-pumping characteristics of LOCOS- and LDD-MOSFET devices
Auteur(s):	Tahi, H. Djezzar, B. Benabdelmoumen, A. Nadji, B.
Mots-clés:	Active CP area Constant-amplitude charge pumping (CP) Geometric component LDD-MOSFET
Date de publication:	2011
Editeur:	IEEE
Collection/Numéro:	IEEE Transactions on Device and Materials Reliability/ Vol.11, N°1;pp. 131-140
URI/URL:	http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080123456789/1969
Collection(s) :	Publications Internationales

Fichier(s) constituant ce document :

Fichier	Description	Taille	Format
Geometric component in constant-amplitude charge-pumping characteristics of LOCOS- and LDD-MOSFET devices.pdf		25,57 kB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir

Ce site utilise l'application DSpace, Version 1.4.1 - Commentaires