DSpace
 

Depot Institutionnel de l'UMBB >
Thèses de Doctorat et Mémoires de Magister >
Génie Eléctriques >
Magister >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/2745

Titre: Contribution à l'étude et réalisation d'une technique ultra rapide pour l'étude de la dégradation NBTI
Auteur(s): Toumi, Ilhem
Mots-clés: Transistor
Champ électrique
Issue Date: 2015
Résumé: Parmi les modes de dégradation limitant la fiabilité des transistors MOSFET, un " nouveau " phénomène communément appelé Negative Bias Temperature Instability (NBTI) est reconnu aujourd'hui comme potentiellement rédhibitoire au bon fonctionnement des circuits à haute température. Avec une puissance consommée en forte augmentation, la dissipation thermique peut atteindre 280W/cm² localement dans la zone de la mémoire cache pour la technologie ultra avancée (dernière génération de Pentium) et la température moyenne de la puce atteindre généralement 80-100 °C. Il est reconnu que le NBTI est du à la création des pièges a l'interface (ÀNit) et dans l'oxyde (ÀNot) se qui conduit à la dérive de la tension de seul (VTH), diminution de courant drain-source et de la mobilité des porteurs de charge. Les mécanismes de création des pièges induits par le NBTI restent jusqu'à présent un des débats très contre verse. Le but de ce projet est la combinaison du pompage de charge (CP) à une impulsion avec la technique Ids(Vgs) ultra rapide sur le même montage expérimental, pour l'extraction des pièges induits par NBTI
Description: 79 p. : ill. ; 30 cm
URI: http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/2745
Appears in Collections:Magister

Files in This Item:

File Description SizeFormat
TOUMI.pdf48,83 kBAdobe PDFView/Open
View Statistics

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

Valid XHTML 1.0! DSpace Software Copyright © 2002-2010  Duraspace - Feedback