Oxide trap annealing by H2 cracking at e'center under NBTI stress

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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/2757

Titre:	Oxide trap annealing by H2 cracking at e'center under NBTI stress
Auteur(s):	Tahanout, Cherifa Nadji, Becharia Tahi, Hakim Djezzar, Boualem Benabdelmoumene, Abdelmadjid Chenouf, Amel
Mots-clés:	MOSFET Annealing Hole traps Hydrogen Negative bias temperature instability Semiconductor device models Semiconductor device reliability
Date de publication:	2012
Editeur:	IEEE
Collection/Numéro:	;pp. 1-4
URI/URL:	http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/2757
Collection(s) :	Communications Internationales

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