Experimental investigation of NBTI degradation in power VDMOS transistors under low magnetic field

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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/3565

Titre:	Experimental investigation of NBTI degradation in power VDMOS transistors under low magnetic field
Auteur(s):	Tahi, Hakim Tahanout, Cherifa Boubaaya, Mohamed Djezzar, Boualem Merah, Sidi Mohammed Nadji, Bacharia Saoula, Nadia
Mots-clés:	Magnetic fields Stress Negative bias temperature instability Thermal variables control Degradation Iterative closest point algorithm Current measurement
Date de publication:	2017
Editeur:	IEEE
Collection/Numéro:	IEEE Transactions on Device and Materials Reliability/ Vol.17, N°1(2017);pp. 99-105
URI/URL:	http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/3565
ISSN:	1530-4388
Collection(s) :	Publications Internationales

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Hakim Tahi, Résumé.pdf		25,62 kB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir

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