Three-dimensional study of the pressure field and advantages of hemispherical crucible in silicon Czochralski crystal growth

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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/4560

Titre:	Three-dimensional study of the pressure field and advantages of hemispherical crucible in silicon Czochralski crystal growth
Auteur(s):	Mokhtari, Faiza Bouabdallah, Ahcene Merah, Abdelkrim Zizi, M. Hanchi, S. Alemany, A.
Mots-clés:	Crystal growth Czochralski Silicon Modified geometry Pressure field Fluent software
Date de publication:	2010
Editeur:	Wiley
Collection/Numéro:	Crystal Research and Technology/ Vol.45, N°6 (2010);pp. 573-582
URI/URL:	http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/4560
ISSN:	0232-1300
Collection(s) :	Publications Internationales

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F. Mokhtari, Résumé.pdf		25,73 kB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir

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