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Titre: | Contribution à l’étude de la fiabilité des microsystèmes (MEMS) |
Auteur(s): | Tahanout, Cherifa |
Mots-clés: | MEMS Dégradation NBTI Pompage de charge |
Date de publication: | 2020 |
Résumé: | Dans ce travail de these, nous avons proposes une nouvelle technique nommee on.the-fly bulk traps
(OTFBT) pour l eextraction et la separation des pieges a l'interface (ĢNit) et dans d'oxydes (ĢNot)
induits par la degradation NBTI sur les dispositifs MOS. La methode OTFBT est basee sur la
combinaison de la methode on-the-fly interface trap (OTFIT) et la methode on-the-fly threshold
voltage (OTF-Vth), ou les deux methodes sont appliquees dans un seul et meme montage
experimental. Les resultats d eestimation des pieges a l'interface (ĢNit) et dans d'oxydes (ĢNot) extraits
par OTFBT seront modelises et appliques par la suite a la prediction de l eeffet NBTI dans les
dispositifs MEMS_SG-MOS,compatible avec la technologie CMOS. Le but est d eetudier la fiabilite du
dispositif MEMS_SG-MOS soumis a l eeffet de la degradation NBTI. L'approche utilisee pour
effectuer cette etude est realisee en combinant, dans un meme programme de simulation, le modele
decrivant le comportement du dispositif MEMS_SG-MOS, et le modele de creation des pieges ĢNit et
ĢNot par la degradation NBTI, dans un meme et unique modele de fiabilite . Cette
approche nous a permis de simuler l eimpact de la degradation NBTI sur la fiabilite du dispositif
MEMS_SG-MOS et de prevoir rapidement la duree de vie de ce dispositif soumis a la degradation
NBTI. La simulation par l eapproche proposee montre que l eimpact de la degradation NBTI sur la
duree de vie est beaucoup plus important dans les transistors PMOS que dans les dispositifs
MEMS_SG-MOS type N |
URI/URL: | http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/6209 |
Collection(s) : | Doctorat
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