Hot carrier degradation in Triple-RESURF LDMOS with Trenched-Gate

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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/7464

Titre:	Hot carrier degradation in Triple-RESURF LDMOS with Trenched-Gate
Auteur(s):	Houadef, Ali Djezzar, B.
Mots-clés:	Hot carriers MOS devices Semiconductor junctions
Date de publication:	2021
Editeur:	IEEE
Collection/Numéro:	Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM/ Vol.2021-September;pp. 141-144
Résumé:	This work investigates by TCAD simulation the impact of hot carrier degradation (HCD) in an nLDMOS that uses many topological features. The trenched gate and the triple-RESURF used to optimally reduce the device on-resistance (RON) , triggers DC shifts that easily surpass 10%. We show that using such topologies implicates a narrower safe operating area (SOA)
URI/URL:	https://ieeexplore.ieee.org/document/9569100 DOI: 10.1109/MIEL52794.2021.9569100 http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/7464
ISBN:	978-166544528-3
Collection(s) :	Communications Internationales

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