Depot Institutionnel de l'UMBB >
Monographies >
Cours >
Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document :
http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/13214
|
Titre: | Polycopié du Cours : Eléments de physique des composants électroniques |
Auteur(s): | Smaani, Billel |
Mots-clés: | Composants électroniques Jonction PN Transistor bipolaire Transistors à effet de champ |
Date de publication: | 2023 |
Editeur: | Université M’hamed Bougara de Boumerdes : Faculté des Sciences : Département Ingénierie des Systèmes Electriques |
Résumé: | Les différent composants et circuits électroniques mettent à profit les avantages et les
propriétés des électrons dans les matériaux formant des semiconducteurs (SC). Il est
fondamental, d'aborder l'étude et l’analyse des composants à SC, ainsi bien de définir les
grandeurs et les propriétés physiques conditionnent les caractéristiques physiques, électriques de
ces composants. En effet, les paramètres cruciaux et fondamentaux des SC sont
incontestablement l'état de la population et de la masse électronique à l'équilibre
(thermodynamique) et le changement de cette population lorsque le SC obéisse à une agitation
(ou perturbation) extérieure, comme le cas d’une tension électrique ou d’un rayonnement. De
plus, les composants et les transistors modernes se basent de plus en plus sur le voisinage ou la
juxtaposition de matériaux SCs, tels que la jonction PN et les transistors bipolaires. Il est donc
essentiel de traduire et préciser les grandeurs électriques et physiques mesurables, les propriétés
des matériaux formant des SC et des hétérostructures............. |
URI/URL: | http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/13214 |
Collection(s) : | Cours
|
Fichier(s) constituant ce document :
|
Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.
|