Caractérisation de l’effet d’irradiation sur les transistors LDD MOSFET par des méthodes basées sur le pompage de charge

Abstract

Le but de développer des méthodes de caractérisations fiables est de prévoir la dégradation des circuits intégrés fonctionnement dans un environnement radiatif. Dans cette optique, des travaux considérables ont été menés pour comprendre les mécanismes fondamentaux de l’interaction des radiations ionisantes avec les structures MOS, notamment la création des pièges à l’interface oxyde/silicium. En effet, plusieurs méthodes ont été développées pour extraire les densités des pièges induits par l’irradiation dans les dispositifs MOS.La technique de pompage de charge constitue un puissant outil d'analyse électrique permettant de suivre l'évolution des paramètres des pièges d'interface dans des composants de petites dimensions (dispositifs submicroniques). Dans notre travail, nous avons utilisé la méthode OTCP (Oxide Trap Charge Pumping) qui est basée uniquement sur la technique de pompage de charge et ne nécessite qu’un seul transistor. Elle permet d’estimer la densité des pièges à l’interface et les bordertraps induits par l’irradiation. Pour juger les résultats obtenus par cette méthode, nous avons comparé les résultats de simulation avec des mesures expérimentales. Pour finir, nous avons utilisé une nouvelle méthode basée sur deux techniques standards, la PC et I(V). Les résultats obtenus par la nouvelle méthode sont confronté aux résultats obtenus par d’autres méthodes