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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/1969

Titre: Geometric component in constant-amplitude charge-pumping characteristics of LOCOS- and LDD-MOSFET devices
Auteur(s): Tahi, H.
Djezzar, B.
Benabdelmoumen, A.
Nadji, B.
Mots-clés: Active CP area
Constant-amplitude charge pumping (CP)
Geometric component
LDD-MOSFET
Date de publication: 2011
Editeur: IEEE
Collection/Numéro: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability/ Vol.11, N°1;pp. 131-140
URI/URL: http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080123456789/1969
Collection(s) :Publications Internationales

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