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Publications Internationales >

Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/2402

Titre: Low magnetic field Impact on NBTI degradation
Auteur(s): Merah, Sidi Mohammed
Nadji, B.
Tahi, H.
Mots-clés: Magnetic field
NBTI
VDMOSFET
Degradation
Magnetic fields
Double diffused MOS transistor
Life-times
Low magnetic fields
Negative bias temperature instability
VDMOS devices
Date de publication: 2015
Editeur: Elsevier
Collection/Numéro: Microelectronics Reliability/ Vol.55, N° 9–10 (2015);pp. 1460–1463
URI/URL: http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/2402
ISSN: 00262714
Collection(s) :Publications Internationales

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