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Communications Internationales >

Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/2757

Titre: Oxide trap annealing by H2 cracking at e'center under NBTI stress
Auteur(s): Tahanout, Cherifa
Nadji, Becharia
Tahi, Hakim
Djezzar, Boualem
Benabdelmoumene, Abdelmadjid
Chenouf, Amel
Mots-clés: MOSFET
Annealing
Hole traps
Hydrogen
Negative bias temperature instability
Semiconductor device models
Semiconductor device reliability
Date de publication: 2012
Editeur: IEEE
Collection/Numéro: ;pp. 1-4
URI/URL: http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/2757
Collection(s) :Communications Internationales

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