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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/3565

Titre: Experimental investigation of NBTI degradation in power VDMOS transistors under low magnetic field
Auteur(s): Tahi, Hakim
Tahanout, Cherifa
Boubaaya, Mohamed
Djezzar, Boualem
Merah, Sidi Mohammed
Nadji, Bacharia
Saoula, Nadia
Mots-clés: Magnetic fields
Stress
Negative bias temperature instability
Thermal variables control
Degradation
Iterative closest point algorithm
Current measurement
Date de publication: 2017
Editeur: IEEE
Collection/Numéro: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability/ Vol.17, N°1(2017);pp. 99-105
URI/URL: http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/3565
ISSN: 1530-4388
Collection(s) :Publications Internationales

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