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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/4560

Titre: Three-dimensional study of the pressure field and advantages of hemispherical crucible in silicon Czochralski crystal growth
Auteur(s): Mokhtari, Faiza
Bouabdallah, Ahcene
Merah, Abdelkrim
Zizi, M.
Hanchi, S.
Alemany, A.
Mots-clés: Crystal growth
Czochralski
Silicon
Modified geometry
Pressure field
Fluent software
Date de publication: 2010
Editeur: Wiley
Collection/Numéro: Crystal Research and Technology/ Vol.45, N°6 (2010);pp. 573-582
URI/URL: http://dlibrary.univ-boumerdes.dz:8080/handle/123456789/4560
ISSN: 0232-1300
Collection(s) :Publications Internationales

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